INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 5毫安;
BE
=∞
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
V
CB
= 500V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.6A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
15
8
民
500
800
7
2SC3447
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
10
10
50
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
I
C
= 0.6A ; V
CE
=10V
输出电容
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=10V
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 200V ;我
C
=4A
I
B1
=0.8A;I
B2
=-1.6A;
R
L
=50Ω
OR
CT
U
18
80
0.5
3.0
0.3
兆赫
pF
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
L
15-30
M
20-40
N
30-50
2
