产品speci fi cation
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硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 5毫安;
BE
=∞
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
E
= 1毫安;我
B
=0
I
C
= 0.75A ;我
B
=0.15A
I
C
= 0.75A ;我
B
=0.15A
V
CB
= 800V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
F = 10MHz时; V
CB
=10V
10
8
15
30
民
800
900
7
典型值。
2SC3149
最大
单位
V
V
V
2.0
1.5
10
10
40
V
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 400V ;我
C
=1A
I
B1
=0.2A;I
B2
=-0.4A;
R
L
=400Ω
1.0
3.0
0.7
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
K
10-20
L
15-30
M
20-40
2
