SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿votage
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 3 A;我
B
=0.6 A
I
C
= 3 A;我
B
=0.6 A
V
CB
=1000V;I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=3V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
4.5
民
500
5
2SC1348
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
5.0
1.5
0.1
0.1
19
5
V
V
mA
mA
兆赫
2
