INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB994
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -50mA ;我
B
= 0
-60
V
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -3A ;我
B
= -0.3A
B
-1.0
V
基射极电压上
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -5V
-1.0
V
μA
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -60V ;我
E
= 0
V
EB
= -7V ;我
C
= 0
-100
发射Cuto FF电流
-100
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
C
OB
输出电容
f
T
电流增益带宽积
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -5V
60
I
C
= -3A ; V
CE
= -5V
20
I
E
= 0; V
CB
= -10V ; F
TEST
= 1MHz的
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -5V
V
CC
=
-30V ，R
L
= 15Ω,
I
B1
= -I
B2
= -0.2A,
200
150
pF
9
兆赫
0.4
μs
μs
μs
贮存时间
1.7
下降时间
0.5
h
FE-1
分类
O
60-120
Y
100-200
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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