INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
2SB649A
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -1mA ;我
E
= 0
I
C
= -10mA ;
BE
= ∞
-180
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
-160
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿Vltage
I
E
= -1mA ;我
C
=0
-5
V
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -500mA ;我
B
= -50mA
-1.0
V
V
BE （
on
)
I
CBO
基射极电压上
I
C
= -150mA ; V
CE
= -5V
-1.5
V
μA
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -160V ;我
E
= 0
-10
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -150mA ; V
CE
= -5V
60
200
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -500mA ; V
CE
= -5V
30
f
T
电流增益带宽积
I
C
= -150mA ; V
CE
= -5V
140
兆赫
C
OB
输出电容
I
E
= 0; V
CB
= -10V ，女
TEST
= 1MHz的
27
pF
h
FE-1
分类
B
60-120
C
100-200
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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