SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB649 2SB649A
描述
·采用TO- 126封装
·补键入2SD669 / 669A
·高击穿电压V
首席执行官：
-120/-160V
·高电流-1.5A
·低饱和电压，优良的
FE
线性
应用
·对于低频功率
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
参数
2SB649
集电极 - 基极电压
2SB649A
2SB649
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2SB649A
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
a
=25
T
C
=25
集电极开路
开基
-160
-5
-1.5
-3
1
W
20
150
-55~150
V
A
A
发射极开路
-180
-120
V
条件
价值
-180
V
单位
