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2SB561
电气特性
( TA = 25°C )
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
注意:
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE
*
1
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
COB
–25
–20
–5
85
典型值
–0.2
–0.75
350
20
最大
–1.0
240
–0.5
–1.0
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= –10
A,
I
E
= 0
I
C
= -1毫安,R
BE
=
I
E
= –10
A,
I
C
= 0
V
CB
= -20 V,I
E
= 0
V
CE
= –1 V,
I
C
= -0.15 A(脉冲测试)
I
C
= -0.5 A,I
B
= –0.05 A
V
CE
= -1 V,I
C
= –0.15 A
V
CE
= -1 V,I
C
= –0.15 A
V
CB
= -10 V,I
E
= 0
F = 1 MHz的
V
V
兆赫
pF
1. 2SB561用h分组
FE
如下。
B
C
85至170
120至240
Rev.2.00 2005年8月10日第2页5

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