INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
2SB1286
描述
高
直流电流GAIN-
:h
FE
= 1000 （最小值） @我
C
= -
1A
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
:V
（ BR ） CEO
= -100V （最小值）
ULOW
集电极 - 发射极饱和电压
:V
CE （ SAT ）
= -1.5V （最大值） @我
C
= -
1A
.Complement
到类型2SD1646
应用
·设计
为通用放大器和低速
切换应用程序
.
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
-100
V
-100
V
-8
V
-2
A
-3
A
25
W
℃
℃
I
C
I
CM
集电极电流连续
集电极电流峰值
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
P
C
T
j
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站： www.iscsemi.cn
