JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SB1065
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -1mA ，我
B
=0
-50
V
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -50μA ，我
E
=0
I
E
= -50μA ，我
C
=0
-60
V
发射极 - 基极击穿电压
-5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2A ;我
B
=-0.2A
-1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -2A ;我
B
=-0.2A
-1.5
V
μA
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -40V ;我
E
=0
-1.0
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -4V ;我
C
=0
-1.0
h
FE
C
OB
直流电流增益
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-3V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V,f=1MHz
56
390
输出电容
50
pF
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
70
兆赫
h
FE
分类
N
56-120
P
82-180
Q
120-270
R
180-390
2
