INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE -2
h
FE -3
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= -4A ，我
B
=-0.4A
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
V
CB
= -120V ;我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
C
= -20mA ; V
CE
=-5V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -4A ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
20
40
20
230
民
典型值。
2SB1055
最大
-2.0
-1.8
-50
-50
单位
V
V
μA
μA
200
pF
兆赫
h
FE-2
分类
R
Q
固电
IN
导½
半
P
100-200
40-80
60-120
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
20
2
