INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
2SA1133 2SA1133A
民
典型值。
最大
单位
2SA1133
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
2SA1133A
I
C
= -5mA ，我
B
=0
B
-150
V
-180
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -0.5mA ，我
E
=0
-200
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -0.5mA ，我
C
=0
-6
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -500mA ;我
B
=-50mA
B
-1.0
V
V
BE
基射极电压上
I
C
= -400mA ; V
CE
=-10V
-1.0
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -200V ;我
E
=0
-50
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -4V ;我
C
=0
-50
μA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= -150m A; V
CE
=-10V
60
240
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -400mA ; V
CE
=-10V
50
h
FE-1
分类
Q
60-140
P
100-240
2
