公司Bauelemente
115毫安， 60VOLTS ， RDS （ ON） = 7.5
小信号MOSFET
符合RoHS产品
2N7002W
的" - C"后缀指定卤素&无铅
N沟道SOT- 323
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
漏电流
- 连续TC = 25 ° C（注1 ）
- 连续
TC = 100 ° C（注1 ）
- 脉冲（注2 ）
栅源电压
- 连续
- 不重复（ TP
≤
50
s)
符号
VDSS
VDGR
ID
ID
IDM
价值
60
60
±115
±75
±800
单位
VDC
VDC
MADC
N沟道
VGS
VGSM
±20
±40
VDC
VPK
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注3 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （注4 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
TJ ， TSTG
417
-55
+150
° C / W
°C
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
3
1
2
2
R
θJA
PD
SOT–323
标记图
＆放大器;引脚分配
漏
3
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
3， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
4.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 ％的氧化铝。
1
2
门
来源
SOT-323
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
民
1.800
1.150
K72 ， 702 =器件代码
最大
2.200
1.350
1.000
0.400
1.400
0.100
0.250
0.500
0.720
2.400
0.420
D
H
K
J
C
V
1
3
2
A
L
0.800
0.300
1.200
0.000
0.100
0.350
0.590
2.000
0.280
B·S
G
单位：mm外形尺寸
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01军， 2005年修订版
A
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