SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
C
=1.5A;I
B
=0.15A
I
C
=3A;I
B
=0.4A
T
C
=100
I
C
=3A;I
B
=0.4A
T
C
=100
V
CE
=850V;V
BE
=-1.5V
T
C
=105
V
BE
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
E
= 0; F = 1kHz时，V
CB
=10V
I
C
= 0.25A ; V
CE
=10V;f=10MHz
7.5
5
20
15
民
450
2N6833
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BE坐
I
CEV
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
COB
f
T
典型值。
最大
单位
V
1.0
2.5
2.5
1.5
1.5
0.25
1.5
1.0
30
V
V
V
mA
mA
200
75
pF
兆赫
2
