INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6386
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N6387
2N6388
集电极 - 发射极
饱和电压
2N6386
2N6387/6388
2N6386
2N6387/6388
2N6386
2N6387/6388
2N6386
I
C
= 3A ，我
B
=6mA
I
C
= 0.2A ，我
B
=0
2N6386 2N6387 2N6388
条件
民
40
60
80
典型值。
最大
单位
V
V
CEsat-1
2.0
I
C
= 5A ，我
B
=10mA
I
C
= 8A ，我
B
=80mA
3.0
I
C
= 10A ，我
B
=100mA
I
C
= 3A ; V
CE
=3V
2.8
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
I
C
= 8A ; V
CE
=3V
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
V
CB
=40V, V
BE
=-1.5V
T
C
=125℃
V
CB
=60V, V
BE
=-1.5V
T
C
=125℃
V
CB
=80V, V
BE
=-1.5V
T
C
=125℃
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极
饱和电压
V
V
BE-1
基射
ON电压
V
V
BE-2
I
CBO
固电
IN
基射
ON电压
导½
半
2N6387/6388
2N6386
2N6387
2N6388
集热器
截止电流
I
首席执行官
集热器
截止电流
ES
昂
CH
2N6386
2N6387
2N6388
2N6386
ND
ICO
EM
OR
UCT
0.3
3.0
0.3
3.0
0.3
3.0
1.0
4.5
V
mA
V
CE
= 40V ，我
B
=0
V
CE
= 60V ，我
B
=0
V
CE
= 80V ，我
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=3V
1000
20000
5.0
mA
mA
I
EBO
发射极截止电流
h
FE-1
直流电流增益
2N6387/6388
2N6386
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
I
C
= 8A ; V
CE
=3V
h
FE-2
直流电流增益
2N6387/6388
I
C
= 10A ; V
CE
=3V
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=0.1MHz
100
C
ob
输出电容
200
pF
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.92
单位
℃/W
2
