INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N4898
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N4899
2N4900
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
2N4898
I
首席执行官
集电极截止电流
2N4899
2N4900
I
C
= -1A ;我
B
=-0.1A
I
C
= -1A ，我
B
=-0.1A
I
C
= -1A ; V
CE
=-1V
V
CE
= -20V ;我
B
=0
V
CE
= -30V ;我
B
=0
V
CE
= -40V ;我
B
=0
I
C
= -0.1A ;我
B
=0
2N4898 2N4899 2N4900
条件
民
-40
-60
-80
典型值。
最大
单位
V
-0.6
-1.3
-1.3
V
V
V
-0.5
mA
I
CEX
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
C
OB
f
T
导½
电半
固
集电极截止电流
集电极截止电流
INC。
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
GE
的HAn
ICO
SEM
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -50mA ; V
CE
=-1V
I
C
= -500mA ; V
CE
=-1V
I
C
= -1.0A ; V
CE
=-1V
I
E
=0;V
CB
=-10V;f=1MHz
I
C
=-250mA;V
CE
=-10V
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=150℃
器
DUC
N
-0.1
-1.0
-0.1
-1.0
40
20
10
100
3.0
100
mA
mA
mA
输出电容
跃迁频率
pF
兆赫
2
