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B-25
2N6451, 2N6452
N沟道硅结型场效应晶体管
音频放大器
低噪声，高增益
放大器器
低噪声前置放大器
在T绝对最大额定值
A
= 25C
反向栅源电压
反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额
2N6451
2N6452
– 20 V
– 25 V
– 20 V
– 25 V
10毫安
10毫安
360毫瓦
360毫瓦
2.88毫瓦/ ° 2.88毫瓦/°C的
在25 ℃的自由空气温度：
静态电气特性
门源击穿电压
V
（ BR ） GSS
2N6451
民
– 20
– 0.1
最大
2N6452
民
– 25
– 0.5
最大
单位
V
nA
nA
A
–1
A
V
mA
过程NJ132L
测试条件
I
G
= - 1 μA ，V
DS
= V
V
GS
= – 10V, V
DS
= V
V
GS
= – 15V, V
DS
= V
V
GS
= – 10V, V
DS
= V
V
GS
= – 15V, V
DS
= V
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.5 nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= V
T
A
= 125°C
T
A
= 125°C
门反向电流
I
GSS
– 0.2
– 0.5 – 3.5 – 0.5 – 3.5
5
20
5
20
门源截止电压
饱和漏电流（脉冲）
动态电气特性
常见的来源
转发率
常见的来源
输出电导
常见的来源
输入电容
共源反向
传输电容
相当于短路
输入噪声电压
噪声系数
V
GS （ OFF ）
I
DSS
| Y
fs
|
| Y
os
|
C
国际空间站
C
RSS
e
N
NF
15
30
50
25
5
5
3
1.5
15
30
50
25
5
mS
mS
S
S
pF
pF
pF
pF
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 15毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 15毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 15毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 15毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 5毫安
R
G
= 10 k
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 10千赫
F = 1千赫
F = 10赫兹
10
纳伏/赫兹÷
8
2.5
纳伏/赫兹÷
dB
TO72套餐
尺寸以英寸（毫米）
引脚配置
1来源， 2漏， 3门， 4保护套
www.interfet.com
1000 N.希洛路，花环，TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
