2KBP005M通2KBP10M ， 3N253通3N259

威世通用半导体

100

100

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50 MVP -P

正向电流（A ）

10

结电容（pF ）

1

10

0.1

T

J

= 25 °C

脉冲

宽度

= 300

s

1 ％占空比

0.01

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1

0.1

1

10

100

正向

电压

(V)

反向

电压

(V)

图3.典型正向特性每二极管

图5.典型结电容每二极管

100

瞬时反向电流（ μA ）

T

J

= 125 °C

10

T

J

= 100 °C

1

0.1

T

J

= 25 °C

0.01

0

20

40

60

80

100

百分比额定峰值反向

电压

(%)

图4.典型的反向漏电特性每二极管

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

机箱样式KBPM

0.125 x 45°

(3.2)

0.600 (15.24)

0.560 (14.22)

0.460 (11.68) 0.500 (12.70)

0.420 (10.67) 0.460 (11.68)

0.60

(15.2)

分钟。

0.060

(1.52)

0.160 (4.1)

0.140 (3.6)

0.50 （ 12.7 ）最小。

0.034 (0.86)

0.028 (0.76)

DIA 。

0.200 (5.08)

0.180 (4.57)

0.105 (2.67)

0.085 (2.16)

极性的情况下正面显示：正极

通过斜面

角落

文档编号： 88532

修订： 15 -APR- 08

您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：

PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

3