2KBP005M通2KBP10M ， 3N253通3N259
威世半导体
20
100
正向电流（A ）
10
1
结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MH
Z
VSIG = 50mVp -P
10
0.1
T
J
= 25 °C
脉冲宽度= 300
μs
1 ％占空比
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
0.1
1
10
100
正向电压（ V）
反向电压（ V）
图3.典型正向特性每支架
图5.典型结电容每支架
100
瞬时反向电流（ μA ）
T
J
= 125 °C
10
T
J
= 100 °C
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0
20
40
60
80
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图4.典型的反向漏电特性每支架
（英寸）封装外形尺寸（毫米）
机箱样式KBPM
0.125 X 45°
(3.2)
0.600 (15.24)
0.560 (14.22)
0.460 (11.68) 0.500 (12.70)
0.420 (10.67) 0.460 (11.68)
60
(15.2)
分钟。
0.060
(1.52)
0.160 (4.1)
0.140 (3.6)
0.50 （ 12.7 ）最小。
0.034 (0.86)
0.028 (0.76)
DIA 。
0.200 (5.08)
0.180 (4.57)
0.105 (2.67)
0.085 (2.16)
极性的情况下，前侧所示：积极带头切角
文档编号88532
08-Jul-05
www.vishay.com
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