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25LC1024
2.5
写状态寄存器指令
（ WRSR ）
写保护使能（ WPEN ）位是非易失性
这一点可以作为一个使能位为WP引脚。该
写保护（WP ）引脚和写保护启用
在状态（ WPEN ）位寄存器控制
可编程硬件写保护功能。硬
洁具写保护时启用WP引脚为低电平
和WPEN位为高。硬件写保护
禁用时，无论是WP引脚为高电平或WPEN
位为低。当芯片被硬件写保护，
只有写入非易失位在状态寄存器
被禁用。请参阅表2-4功能矩阵
在WPEN位。
参见图2-7为WRSR时序。
写状态寄存器指令（ WRSR ）允许
用户要写入到非易失性位在状态
寄存器示于表2-2 。该用户能够
选择4个保护级别之一的数组
写相应的位在状态寄存器。
该阵列被划分成四个部分。用户
有写保护无，一个，两个的能力，或所有四个
的阵列的段。该分区是
控制如表2-3所示。
表2-3 ：
BP1
保护阵列
BP0
数组地址
写保护
无
上部1/4 （部门3 ）
(18000h-1FFFFh)
上部1/2 （部门2 & 3 ）
(10000h-1FFFFh)
所有（扇区0 ，1，2 & 3）
(00000h-1FFFFh)
数组地址
无保护
所有（扇区0 ，1，2 & 3）
(00000h-1FFFFh)
下部3/4（扇区0，1 & 2）
(00000h-17FFFh)
低1/2 （扇区0 & 1 ）
(00000h-0FFFFh)
无
0
0
1
1
0
1
0
1
图2-7：
CS
0
SCK
写状态寄存器时序分析（ WRSR ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
指令
SI
0
0
0
0
0
0
0
1
7
6
数据状态寄存器
5
4
3
2
1
0
高阻抗
SO
DS22064C第12页
2008 Microchip的技术公司
