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25LC1024
2.2
写序
之前的任何企图将数据写入到25LC1024 ，所述
写使能锁存器必须通过发出设置
雷恩
指令（图2-4） 。这是通过设置CS为低电平来
然后打卡了正确的指令进入
25LC1024 。之后所有8位的指令是
传输时，必须将CS拉高设置
写使能锁存器。如果被启动的写操作
后，立即
雷恩
指令而没有CS
拉为高电平时，数据将不会被写入到
数组，因为写使能锁存器将不会有
正确设置。
写序列包括一个自动的，自我计时
擦除周期。擦除的任何部分不要求
之前发出写命令的记忆。
一旦写使能锁存器被置位，则用户可以
继续通过设置CS为低电平时，发出
写
指令
化，接着是24位地址，以7个MSB
的地址为“不关心”位，然后将数据
被写入。多达256字节的数据可以被发送到
设备前一个写周期是必要的。唯一
的限制是所有字节必须驻留在
同一个页面。当这样做的小于256字节的写
在页面的其余部分的数据与刷新沿
的数据字节被写入。为此原因，
续航能力是每个页面中指定。
注意：
页写操作仅限于书面形式
在单个物理页内的字节，
无论何种
的字节数的
实际写入。物理页
边界的起始地址是
页缓冲器大小的整数倍（或
“页大小” ） ，并结束在那个地址是
页面大小的整数倍 - 1.如果一个
页写命令试图写
跨越物理页边界时，将
结果是，数据回写到
开始的当前页面（覆盖
数据预先存储的，而不是在那里） ，
被写入到下一个页面，可能是
的预期。因此，对于必要的
应用软件，以防止页写
这将试图越过一个操作
页边界。
为数据被实际写入到阵列中，CS
必须经过最少的显着位带来的高（ D0 ）
的
n
th
数据字节时钟。如果是CS
在其他任何时间，带来了高，写操作将
无法完成。请参考图2-2和图2-3
关于字节写更详细的说明
序列和页写操作，分别。
而写入过程中，状态寄存器可能
读取检查WPEN ， WIP ， WEL的状态，
BP1和BP0位（图2-6 ） 。的读取尝试
在存储器阵列中的位置是不可能的
写周期。当写周期完成时，该
写使能锁存器复位。
图2-2：
CS
字节写操作
TWC
0
SCK
指令
SI
0
0
0
0
0
0
1
24位地址
0
23 22 21 20
2
1
0
7
6
数据字节
5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39
高阻抗
SO
DS22064C第8页
2008 Microchip的技术公司
