1.5KE6.8通1.5KE540A ， 1N6267 1N6303直通

威世通用半导体

100

100

10

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

2.0

正向电流（A ）

10

1

T

J

= 25 °C

脉冲

宽度

= 300

s

1

%

占空比

1

0.1

0

0.4

0.8

1.2

1.6

0.1

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

正向

电压

(V)

t

p

- 脉冲持续时间（ S）

图11.正向电压特性曲线

图12.典型的瞬态热阻抗

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

机箱样式1.5KE

1.0 (25.4)

分钟。

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

DIA 。

0.375 (9.5)

0.285 (7.2)

1.0 (25.4)

分钟。

0.042 (1.07)

0.038 (0.96)

DIA 。

应用笔记

该系列硅瞬态抑制器是

在应用中大的瞬态电压使用

会永久损坏电压敏感

组件。

在TVS二极管可以在应用中使用

在农村或偏远传输感应雷电

行提出了一个危险的电子电路（参考：

R.E.A.规范体育60）。

此瞬态电压抑制器二极管

对1500 W的脉冲额定功率为1毫秒。该

的TVS二极管的钳位作用的响应时间

是有效的瞬间（1× 10

-9

s

双向） ;因此，它们可以保护

集成电路， MOS器件，混合动力汽车，以及

其它电压敏感的半导体和

组件。 TVS二极管也可以在使用

串联或并联，以增加峰值功率

收视率。

文档编号： 88301

修订： 22 - OCT- 08

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