1N5221B到1N5267B
威世半导体
Z
THP
- 脉冲电导率热阻。 （ KW ）
1000
t
P
/T = 0.5
100
t
P
/T = 0.2
单脉冲
10
t
P
/T = 0.1
t
P
/T = 0.02
i
ZM
= (- V
Z
+ (V
Z2
+ 4r
zj
x深/ Z
THP
)
1/2
)/(2r
zj
)
10
0
10
1
t
P
- 脉冲宽度（毫秒）
10
2
t
P
/T = 0.01
t
P
/T = 0.05
1
10
-1
95 9603
R
thJA
= 300°K / W的
T = T
JMAX
- T
AMB
图11.热响应
包装尺寸
以毫米（英寸）：
DO35
阴极鉴定
0.55最大。 （ 0.022 ）
启示录6 - 日期： 2007年29月
文件编号： 6.560-5004.02-4
94 9366
文档编号85588
修订版1.7 ， 23 -MAR -07
1.7 (0.067)
1.5 (0.059)
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5
26分钟。 （ 1.024 ）
3.9最大。 （ 0.154 ）
26分钟。 （ 1.024 ）
