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LG的Semicon
GM76C256CL/LL
写周期2
（ / CS控制的） （注1，2， 3）
t
WC
添加
t
AS
t
CW
/ CS
t
AW
t
WP
/ WE
t
WR
t
DW
D
IN
有效数据
t
DH
D
OUT
高-Z
注意事项：
1.存储器的内部写的时间是由/ CS为低电平和/ WE低重叠定义。这两个信号
必须低到开始写，要么信号可以通过将高结束写入。数据输入
建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
2.数据的I / O为高阻抗，如果/ OE = V
IH
.
3.如果/ CS同时变为高电平，与/ WE高电平时，输出保持在高阻抗状态。
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