SSM4565M/GM
N沟道电气特性@ T
j
=25
o
C（除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
40
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP 。 MAX 。单位
-
0.03
-
-
-
12
-
-
-
17
4
10
11
8
30
11
250
170
-
-
25
32
3
-
1
25
±100
27
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V /°C的
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
BV
DSS
/
Tj
R
DS （ ON）
击穿电压温度系数
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
DS
=40V, V
GS
=0V
V
DS
=32V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=7A
V
DS
=32V
V
GS
=4.5V
V
DS
=20V
I
D
=1A
R
G
=3.3 , V
GS
=10V
R
D
=20
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
1400 2240
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= 7A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
TYP 。 MAX 。单位
-
26
21
1.2
-
-
V
ns
nC
2004年12月10日Rev.2.01
www.SiliconStandard.com
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