4 Mbit的固件枢纽
SST49LF004B
EOL数据表
器件存储器映射
TBL ＃
7FFFFH
7座
70000H
6FFFFH
6座
60000H
5FFFFH
5座
50000H
4FFFFH
4座
40000H
3FFFFH
3座
BOOT BLOCK
WP ＃
0-6座
30000H
2FFFFH
BLOCK 2
20000H
1FFFFH
1座
10000H
0F000H
块0
（ 64 K字节）
02000H
01000H
00000H
4 KB扇区2
4 KB扇区1
4 KB扇区0
1307 F02.0
图3 ：D
EVICE
M
埃默里
M
AP
设计注意事项
SST建议采用高频0.1 μF的陶瓷capac-
itor被放置在尽可能靠近V之间
DD
和
V
SS
小于1厘米的距离从V
DD
销装置的。
此外，低频4.7 μF电解电容
从V
DD
到V
SS
应放置在1厘米Ⅴ的
DD
引脚。如果一个插座用于编程的目的，一个附加
tional 1-10 μF应加一个接一个插座。
在RST ＃和INIT ＃引脚必须在V保持稳定
IH
对于
擦除或编程操作的整个持续时间。 WP ＃
必须在V保持稳定
IH
为的整个持续时间
擦除和编程操作的非引导块领域。
写数据到顶部引导块行业看， TBL ＃引脚
还必须保持在V稳定
IH
为的整个持续时间
擦除和编程操作。
产品标识
该产品识别方式识别该设备作为
SST49LF004B和制造商为SST。
表2 ：P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
PP模式
制造商ID
设备
ID
2
0001H
FFBC 0001H
60H
T2.0 1307
数据
BFH
LPC模式
1
FFBC 0000H
0000H
SST49LF004B
1.在此列显示的地址是唯一的引导设备。
地址位置应该在别处出现在4
根据身份证捆扎GB的系统内存映射
引脚当多个LPC内存：在ID [ 0 3 ]的值
装置被用于在一个系统中。
2. SST49LF004B设备ID是相同的
SST49LF004A.
2007硅存储技术公司
S71307-03-EOL
12/07
10
