TS5A3159A
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SCDS200C - 2005年8月 - 修订2010年5月
典型性能
3.50
3.00
2.50
r
on
()
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
0.0
0.5
1.0
V
COM
(V)
图2。R
on
VS V
COM
1.0
0.9
0.8
泄漏（ NA）
0.7
r
on
()
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
2
3
V
COM
(V)
图4.
on
VS V
COM
(V
+
= 5 V)
4
5
6
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 40°C
0
NO / NC （关闭）
20
COM （ON）的
1.5
2.0
V
+
= 1.8 V
V
+
= 2.5 V
V
+
= 3.3 V
V
+
= 5 V
r
on
()
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0
1
2
V
COM
(V)
3
4
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 40°C
图。R
on
VS V
COM
(V
+
= 3.3 V)
20
NO / NC （上）
40
60
40
20
0
20
40
60
80
100
温度（℃）
图5.漏电流与温度
(V
+
= 3.3 V)
70
60
50
40
30
20
10
0
10
20
30
0
1
2
3
4
5
6
偏置电压（ V）
3500
COM （ PWROFF ）
3000
2500
泄漏（ NA）
2000
1500
1000
500
0
500
60
40
20
0
20
40
60
80
100
NO / NC （ PWROFF ）
电荷注入（ PC）
V
+
= 3 V
V
+
= 5 V
温度（℃）
图6.漏电流与温度
(V
+
= 5 V)
图7.电荷注入VS偏置电压
2005-2010 ，德州仪器
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