恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 47千欧，R2 = 47千欧
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
5
mA
I
C
=
100 μA;
V
CE
=
5
V
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
0.3
V
PDTA144E系列
分钟。
80
3
33
0.8
典型值。
1.2
1.6
47
1
马克斯。
100
1
50
90
150
0.8
61
1.2
3
单位
nA
μA
μA
μA
mV
V
V
kΩ
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
pF
2004年8月05
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