ATmega128
数据存储器访问
时
本节介绍的访问时序内部存储器的访问。该
内部数据SRAM访问时间为两个CLK进行
中央处理器
循环中的描述
网络连接gure 10 。
网络连接gure 10 。
片上数据SRAM访问周期
T1
T2
T3
CLK
中央处理器
地址
数据
WR
数据
RD
计算地址
地址有效
存储器访问指令
下一条指令
EEPROM数据
内存
ATmega128的包含4K字节数据EEPROM存储器。它是作为一个单独的
数据的空间，其中，可以按字节读写。该EEPROM具有的耐力
至少100,000次写/擦除周期。 EEPROM与CPU之间的连接被描述
在下文中，指定EEPROM地址寄存器， EEPROM的数据寄存器，并
EEPROM控制寄存器。
286页的“存储器编程”
包含EEPROM编程的详细说明
在SPI ， JTAG或并行编程模式
EEPROM读/写
ACCESS
EEPROM的访问寄存器位于I / O空间。
EEPROM的写访问时间见
表2中。
自定时功能，但是，让
用户软件检测时的下一个字节可以被写入。如果用户代码中包含的说明
这写的EEPROM ，有些必须采取预防措施。在严格的滤波电源，V
CC
有可能上升或下降缓慢上电/下。这使得该设备在一段时间
到在电压低于规定的最小为所用的时钟频率运行。
请参阅“防止─
ING EEPROM腐败“第25页。
对于如何避免在这些情况下，问题的详细信息。
为了防止无意识的EEPROM写操作，具体写的程序必须遵循。
指的是EEPROM控制寄存器有关细节的描述。
当EEPROM被读取后， CPU停止工作4个周期前的下一条指令
执行。当EEPROM写入时，CPU先下一停止两个时钟周期
指令被执行。
EEPROM地址
注册 - EEARH和
EEARL
位
15
–
EEAR7
7
14
–
EEAR6
6
R
读/写
0
X
13
–
EEAR5
5
R
读/写
0
X
12
–
EEAR4
4
R
读/写
0
X
11
EEAR11
EEAR3
3
读/写
读/写
X
X
10
EEAR10
EEAR2
2
读/写
读/写
X
X
9
EEAR9
EEAR1
1
读/写
读/写
X
X
读
写
8
EEAR8
EEAR0
0
读/写
读/写
X
X
EEARH
EEARL
读/写
R
读/写
初始值
0
X
位15..12 - Res：保留位
这些是保留位，读返回值为零。当写入到这个地址的位置，
写这些位为零与未来器件的兼容性。
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2467R–AVR–06/08
