位11..0 - EEAR11..0 ： EEPROM地址
EEPROM地址寄存器 - EEARH和EEARL - 指定的EEPROM地址
4K字节的EEPROM空间。 EEPROM的数据字节介于0和线性寻址
4096 EEAR的初始值是不确定的。一个适当的值必须在之前写
EEPROM可以被访问。
EEPROM数据
注册会员 - EEDR
位
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
最低位
EEDR
读/写
初始值
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
位7..0 - EEDR7.0 ： EEPROM数据
对于EEPROM写操作， EEDR寄存器包含将要写入的数据
EEPROM中的寄存器EEAR给出的地址。对EEPROM的读操作，则
EEDR包含从EEPROM在由EEAR给出的地址读出的数据。
EEPROM控制
注册会员 - EECR
位
7
–
6
–
R
0
5
–
R
0
4
–
R
0
3
EERIE
读/写
0
2
EEMWE
读/写
0
1
EEWE
读/写
X
0
EERE
读/写
0
EECR
读/写
初始值
R
0
位7..4 - Res：保留位
这些位是保留位在ATmega128的，读为零。
位3 - EERIE ： EEPROM就绪中断使能
清零EERIE将使能EEPROM准备好中断若SREG的I置位。写作
EERIE则禁止中断。 EEPROM就绪中断产生一个恒定的间
当EEWE清零中断。
位2 - EEMWE ： EEPROM写使能
的EEMWE位决定EEWE置为一将导致要被写入的EEPROM中。
当EEMWE写一个，写四个时钟周期内EEWE一个将数据写入
该EEPROM的指定地址。如果EEMWE为零， EEWE写一个就没有
的影响。当EEMWE置一个由软件，硬件清零后，该位为零
4个时钟周期。看到EEWE位的EEPROM写过程的描述。
位1 - EEWE ： EEPROM写使能
EEPROM的写使能信号EEWE是写选通到EEPROM中。当地址
和数据的设置是否正确， EEWE位必须设置为写入值到EEPROM 。
当逻辑1写入EEWE的EEMWE位必须置位，否则EEPROM
写操作为止。下面的步骤应该写EEPROM （中时必须遵守
顺序的步骤3和4是不必需的） ：
1.等待EEWE变为零。
2.等待SPMCSR寄存器的SPMEN为零。
3.将新的EEPROM地址写入EEAR （可选）。
4.将新的EEPROM数据写入EEDR （可选）。
5.写，而写一个零EECR到EEWE逻辑一到EEMWE位。
6.在四个时钟周期内设置EEMWE后，写了一个合乎逻辑的一个EEWE 。
22
ATmega128
2467S–AVR–07/09
