恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 22 kΩ的， R2 =开放
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT23
SOT54
SOT323
SOT346
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入电阻
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
=
10
V;
F = 1 MHz的
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
mA
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
PDTA124T系列
价值
500
250
625
500
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
100
15.4
典型值。
22
马克斯。
100
1
50
100
150
28.6
3
单位
nA
μA
μA
nA
mV
kΩ
pF
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
2004年8月04
5
