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INA199A1
INA199A2
INA199A3
SBOS469B - 2009年5月 - 修订2010年2月
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倘若低功率齐纳二极管不具有
足够瞬态吸收能力和较高的
功率的TransZorb必须使用的，最
包有效的解决方案则涉及到使用一个单一的
之间的TransZorb和后端到后端二极管
设备的投入。这种方法示于
图25 。
在空间效率最高的解决方案是双
串联连接的二极管，在一个单一的SOT- 523或
SOD- 523封装。在显示这两个例子
图24
和
图25中的
总电路板面积
与所有的保护所必需的INA199Ax
成分小于一个SO-8封装的，
和比采用MSOP -8仅稍大
封装。
供应
R
分流
负载
R
保护
10W
参考
电压
R
保护
10W
REF
INA199Ax
OUT
产量
GND
1MW
R
3
IN-
关闭
控制
C
绕行
V+
1MW
R
4
IN +
图25. INA199Ax瞬态保护使用
单一的TransZorb和输入钳位
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