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PD - 97146A
IRLR8726PbF
IRLU8726PbF
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高频率同步降压
V
DSS
R
DS （ ON）
最大
QG （典型值）。
转换为计算机处理器电源
30V 5.8米@V
GS
= 10V 15nC
l
高频隔离DC- DC
转换器的同步整流
D
D
对于电信和工业应用
:
好处
l
非常低R
DS （ ON）
在4.5V V
GS
l
超低栅极阻抗
l
充分界定雪崩电压
和电流
l
LEAD -FREE
l
符合RoHS
G
D
S
G
D
S
D- PAK
IRLR8726PbF
G
D
I- PAK
IRLU8726PbF
S
门
漏
马克斯。
30
± 20
86
来源
单位
V
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
h
最大功率耗散
h
最大功率耗散
线性降额因子
工作结
存储温度范围
f
61
f
340
75
38
A
W
W / ℃，
°C
0.5
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
焊接温度，持续10秒
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
h
典型值。
马克斯。
2.0
50
110
单位
° C / W
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
h
GH ？
–––
–––
–––
笔记
通过
在第11页
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11/23/09
