TC2054/2055/2186
注意：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
OUT
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
V IN = 3.8V
VOUT = 2.8V
C IN = 1
μF
陶瓷的
C OUT = 1
μF
陶瓷的
频率= 1千赫
V IN = 3.0V
VOUT = 2.8V
C IN = 1μF陶瓷
C OUT = 10μF陶瓷
频率= 10kHz的
V
OUT
100mV/DIV
为100mV / DIV
V OUT
负载电流
负载电流
150mA
负载
100μA
150mA
负载
100μA
图2-13：
负载瞬态响应。
图2-16 ：
负载瞬态响应。
V IN = 4.0V
VOUT = 3.0V
C OUT = 10μF
BYP = 0.01μF
I OUT = 100μA
加载中差模瞬变响应
V
OUT
100mV/DIV
V SHDN
150mA
V
IN
= 3.105V
V
OUT
= 3.006V
C
IN
= 1μF陶瓷
C
OUT
= 1μF陶瓷
R
负载
= 20Ω
100μA
V OUT
图2-14 ：
辍学模式。
在负载瞬态响应
图2-17 ：
关断延迟。
VOUT = 2.8V
C OUT = 1μF陶瓷
BYP = 470pF的
I OUT = 100μA
为50mV / DIV
V OUT
V SHDN
2V / DIV
输入电压
6V
V OUT
4V
V IN = 4.0V
VOUT = 3.0V
C OUT = 10μF
BYP = 0.01μF
I OUT = 100μA
图2-15 ：
线路瞬态响应。
图2-18 ：
关闭唤醒时间。
2009年Microchip的科技公司
DS21663D第7页
