LTC2295
PI FU CTIO S
A
INA +
（引脚1 ） ：
通道A正差分模拟
输入。
A
INA-
（引脚2 ） ：
频道负微分模拟
输入。
REFHA （引脚3,4 ） ：
通道有很高的参考。短
在一起，旁路引脚5,6用0.1μF陶瓷片
电容尽量靠近引脚放置。还绕道
销5,6与附加2.2μF陶瓷芯片电容器
和接地用1μF陶瓷芯片电容。
REFLA （引脚5,6） ：
通道低参考。短
在一起，旁路引脚3,4用0.1μF陶瓷片
电容尽量靠近引脚放置。还绕道
销3 ， 4与另外的2.2μF陶瓷芯片电容器
和接地用1μF陶瓷芯片电容。
V
DD
（引脚7 ， 10 ， 18 ， 63 ） ：
模拟3V电源。绕道
GND与0.1μF的陶瓷贴片电容。
CLKA （引脚8 ） ：
通道的时钟输入。输入样
开始在正边缘。
CLKB （ 9针） ：
通道B的时钟输入。输入样
开始在正边缘。
REFLB （引脚11 ， 12）：
通道B低参考。短
在一起，旁路引脚13 ， 14与一个0.1μF的陶瓷
贴片电容尽量靠近引脚放置。同时绕过
向销13,14与另外的2.2μF陶瓷芯片钙
pacitor和接地用1μF的陶瓷芯片电容。
REFHB （引脚13 ， 14）：
通道B的高参考。短
在一起，旁路引脚11 ， 12与一个0.1μF的陶瓷
贴片电容尽量靠近引脚放置。同时绕过
向销11,12与另外的2.2μF陶瓷芯片钙
pacitor和接地用1μF的陶瓷芯片电容。
A
INB-
（引脚15 ） ：
通道B负差分模拟
输入。
A
INB +
（引脚16 ） ：
通道B正差分模拟
输入。
GND（引脚17 ， 64） ：
ADC电源地。
SENSEB （引脚19 ） ：
通道B参考编程引脚。
连接SENSEB到V
中巴
选择内部参考
AND A
±0.5V
输入范围。 V
DD
选择内部参考
AND A
±1V
输入范围。不是外部基准更大
0.5V且小于1V施加到SENSEB选择输入
范围
±V
SENSEB
.
±1V
是国内最大的有效输入范围。
V
中巴
（引脚20 ） ：
通道B 1.5V输出和输入共
模偏置。旁路至地2.2μF陶瓷片
电容。不要连接到V
CMA
.
MUX （引脚21 ） ：
数字输出多路复用器控制。如果MUX
为高电平时， A通道出来的DA0 - DA13 ， OFA ;通道B
出来的DB0 - DB13 ， OFB 。如果MUX为低电平时，输出
总线进行交换和通道A出来的DB0-
DB13 ， OFB ;通道B出来的DA0 - DA13 ， OFA 。对
多路复用两个通道到一个单一的输出总线，连接
MUX ， CLKA和CLKB在一起。
SHDNB （引脚22 ） ：
B通道关断模式的选择
引脚。 SHDNB连接至GND， OEB到GND结果
在与输出正常操作启用。连
SHDNB到GND， OEB到V
DD
结果在正常操作
化器在高阻抗输出。连
SHDNB到V
DD
和OEB到GND导致打盹模式
的输出处于高阻抗。连接SHDNB到V
DD
和OEB到V
DD
结果在睡眠模式下的输出
高阻抗。
OEB （引脚23 ） ：
通道B输出使能引脚。请参阅
SHDNB引脚功能。
DB0 - DB13 （引脚24至30， 33至39） ：
通道B的数字
输出。 DB13为MSB 。
OGND （引脚31 ，50） ：
输出驱动器接地。
OV
DD
（引脚32 ， 49 ） ：
正电源的输出Driv-
ERS 。旁路至地0.1μF的陶瓷芯片电容。
OFB （引脚40 ） ：
通道B上溢/下溢输出。
上溢或下溢发生时高。
DA0 - DA13 （引脚41 48， 51 56） ：
通道的数字
输出。 DA13是MSB。
OFA （引脚57 ） ：
通道A上溢/下溢输出。
上溢或下溢发生时高。
OEA （引脚58 ） ：
通道A输出使能引脚。请参阅
SHDNA引脚功能。
8
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