位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第0页 > LTC3836EGN-TRPBF > LTC3836EGN-TRPBF PDF资料 > LTC3836EGN-TRPBF PDF资料1第22页
LTC3836
应用信息
英法fi效率的思考
的开关稳压器的英法fi效率等于输出
电源的输入功率乘以100 ％分成。它往往是
分析单独损耗，以确定什么是有用
限制EF网络效率并改变会产生
大多数的改进。英法fi效率可以表示为：
英法fi效率= 100％ - （L1 + L2 + L3 + ...）
其中， L1，L2等是个别的损失作为百分比
年龄的输入功率。
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，网络已经主要来源通常占多数
在LTC3836电路的损失： 1） LTC3836直流偏置电流
租金， 2 ） MOSFET的栅极充电电流， 3 ）I
2
损失，
4 ）转换损耗。
1） V
IN
（PIN ），电流是直流电源电流，给定
中的电气特性，不包括MOSFET的
驱动电流。 V
IN
电流导致一个小的损失即
与V增加
IN
.
2 ） MOSFET的栅极电荷开关目前的结果
功率MOSFET的栅极电容。每次一
MOSFET栅极被从低到高分到低分再次切换，
电荷dQ的数据包从SENSE移动
+
到地面。
由此产生的DQ / DT是电流从感
+
，这
通常比直流电源的电流大得多。在
连续模式下，我
GATECHG
= F Q
P
.
3) I
2
损失由的直流电阻计算
MOSFET和电感器。在连续模式下，平均
到L输出电流FL OWS但之间“斩”
高端MOSFET和下面的MOSFET 。该MOSFET
R
DS （ ON）
乘以占空比可以概括
升的电阻以获得余
2
损失。
4 ）转换损耗适用于高端MOSFET和增加
具有更高的工作频率和输入电压。
转换损耗可以从估算：
过渡损耗= 2 （Ⅴ
IN
)
2
I
O（最大值）
C
RSS
(f)
其他损失，包括C
IN
和C
OUT
ESR耗散损失
和电感器的磁芯损耗，一般占不到
2 ％的总附加损耗。
OPTI- LOOP是凌力尔特公司的商标。
检查瞬态响应
稳压回路响应可以通过查看被检查
在负载瞬态响应。开关稳压器需要
几个周期来响应于负载电流的步骤。当
负载阶跃时，V
OUT
立即通过量转移
等于（ ΔI
负载
） （ESR ），其中， ESR是等效串联
的C电阻
OUT
.
ΔI
负载
同时开始充电或解散
负责
OUT
可产生反馈误差信号。该
稳压回路，然后返回V
OUT
其稳态值。
在这段恢复时间，V
OUT
可以被监控
过冲或振铃。 OPTI- LOOP
补偿允许
瞬态响应进行优化在宽范围内
输出电容和ESR值。
在我
TH
R系列
C
-C
C
滤波器（参见原理图）套
占主导地位的零极点的环路补偿。在我
TH
外
在前面的典型应用中所示的组件
该数据表的页面会提供足够的起点
于大多数应用。该值可以是莫迪网络版略
（ 0.2至5倍及其建议值）来优化
一旦连接PC最终布局瞬态响应和完成
特定的输出电容类型和值已经
确定的。输出电容需要待决定
因为不同类型和值确定环路
反馈系数的增益和相位。的输出电流的脉冲
20％到具有为1μs的上升时间到满负荷电流的100％
10μs的将产生的输出电压和予
TH
引脚波形
会给整个环路的稳定感。的增益
循环会增加对R
C
和带宽
循环会增加减小
C
。输出
电压稳定的行为关系到稳定
闭环系统，它将显示出实际的总
电源性能。对于optimiz-的详细说明
荷兰国际集团的补偿元件，包括检讨
控制回路原理，请参考应用笔记76 。
第二，更严重的瞬变引起的切换
在负载大（ >1μF ）电源旁路电容器。该
出院旁路电容切实把并行
用C
OUT
，引起V中的快速下降
OUT
。没有可调节
提供足够的电流，以防止这个问题，如果负载
开关电阻低，它被迅速地驱动。唯一
解决方法是限制开关驱动以使上升时间
负荷上升时间被限制在约（25 ）（℃
负载
).
因此，一个10μF电容将需要250μs的上升时间，
限制到200mA左右的充电电流。
3836fa
22
