LTC3447
绝对
（注1 ）
AXI ü RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
V
OUT
GND
FB
PGOOD
V
IN
1
2
3
4
5
11
10 SDA
9 V
CCD
8 SCL
7 RUN
6 SW
V
IN
, V
CCD
.......................................电压-0.3V至6V
RUN ，V
OUT
， FB电压.............................. - 0.3V至V
IN
SW ...................................电压-0.3V到（V
IN
+ 0.3V)
SCL ， SDA电压................................... - 0.3V至V
CCD
P沟道开关源极电流（ DC ） ............... 800毫安
N沟道开关灌电流（ DC ） ................... 800毫安
峰值SW接收器和源电流1.3A ...........................
工作温度范围（注2 ） ...- 40 ° C至85°C
结温（注3 ） ............................. 125°C
存储温度范围...................- 65 ° C至125°C
订购部件
数
LTC3447EDD
DD PART
记号
LBKB
DD包
10 - LEAD （采用3mm x 3mm ） DFN塑料
裸焊盘GND （引脚11 ）
必须焊接到PCB
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 43 ° C / W ，
θ
JC
= 2.96 ° C / W
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
电气特性
符号
RUN
PGOOD
R
VOUT
V
OUT （分钟）
V
输出（最大）
V
OUT
ΔV
OUT
I
PK
V
LOADREG
V
IN
I
S
参数
RUN门槛
报告欠压
反馈电阻
稳压输出电压
稳压输出电压
输出电压步长（ 6位）
输出电压线路调整
峰值电感电流
输出电压负载调整
输入电压范围
输入直流偏置电流
突发模式工作
主动模式
关闭
标称振荡器频率
R
DS （ ON）
P沟道FET
R
DS （ ON）
n沟道FET
SW泄漏
选购入门反馈电压
反馈输入电流
I
2
C时钟逻辑阈值
I
2
C时钟逻辑迟滞
I
2
C数据逻辑阈值
I
2
C数据逻辑迟滞
该
●
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 3.6V ，除非另有规定ED 。
条件
PGOOD = 0.4V
●
●
●
民
0.3
3
0.669
1.989
20.3
典型值
1
460
0.69
2.05
21.6
0.2
0.2
最大
1.5
0.711
2.112
22.9
1.2
1
1.25
5.5
单位
V
mA
kΩ
V
V
mV
%/V
%/V
A
%
V
A
A
A
兆赫
千赫
Ω
Ω
A
V
nA
V
mV
V
mV
V
IN
= 2.5V至5.5V （注6 ）
占空比< 35 ％ ，晶圆级
●
0.75
●
1
0.5
2.5
34
280
0.1
1
160
0.32
0.22
±0.1
0.6
2.5
V
CCD/2
300
V
CCD/2
300
f
OSC
R
PFET
R
NFET
I
LSW
FB
I
FB
SCL
THR
SCL
HYST
SDA
THR
SDA
HYST
（注4 ）
I
负载
= 0A
V
OUT
= 90%, I
负载
= 0A
V
RUN
= 0V, V
IN
= 5.5V
V
OUT
= 100%
V
OUT
= 0V
I
SW
= 100mA时晶圆级
I
SW
= -100mA ，晶圆级
V
RUN
= 0V, V
SW
= 0V或5V ，V
IN
= 5V
监管的反馈电压
（注5 ）
（注5 ）
（注5 ）
（注5 ）
●
0.7
60
400
1
1.3
±1
10
2
U
3447f
W
U
U
W W
W
