LTC3447
应用S我FOR ATIO
损失占主导地位的英法fi效率损失，在中高
负载电流。在典型的英法fi效率情节， EF网络效率
曲线在非常低的负载电流可能因为误导
实际功率失去无关紧要如图所示
在图8中。
1
损耗（毫瓦）
0.1
0.01
DAC = MAX
DAC = MIN
0.001
0.1
1
10
100
负载电流（mA ）
1000
3447 F08
图8.功率损耗与负载电流
在V
IN
静态电流，是由于两个部分组成：
直流偏置电流的电气特性给予
和内部主开关和同步开关
栅极充电电流。栅极充电电流结果
从开关内部电源的栅极电容
MOSFET开关。每次栅极从接通
高到低到高再充电包，DQ ，移动
从V
IN
到地面。所得dQ的/ dt是电流输出
V的
IN
这通常比DC偏置电流。在
连续模式下，我
GATECHG
= F （ QT + QB ），其中QT和
QB是内部的顶部和底部的栅极电荷
开关。这两个DC偏置电流和栅极电荷损耗
正比于V
IN
因而其效果将更为
明显在较高的电源电压。
I
2
损失通过内部的电阻计算
开关，R
SW
和外部电感
L
。在连续
模式下，平均输出电流通过佛罗里达州，由于电感
主开关和所述同步的间L被“斩波”
理性开关。因此，串联电阻寻找到
SW引脚是底部和顶部的MOSFET的一个函数
R
DS （ ON）
和占空比（DC）如下：
R
SW
= (R
DS （ ON） TOP
）（直流） + P（R
DS （ ON） BOT
）（ 1 - 直流）
第r
DS （ ON）
对于顶部和底部的MOSFET可以
从典型性能特征得到
曲线。因此，为了获得我
2
损失，只需加上R
SW
to
U
R
L
和由平均的平方相乘的结果
输出电流。
其他损失包括C
IN
和C
OUT
ESR耗散损失
和电感器的磁芯损耗一般占不到
2 ％的总附加损耗。
检查瞬态响应
稳压回路响应可以通过查看被检查
在负载瞬态响应。开关稳压器需要
几个周期来响应于负载电流的步骤。当
负载阶跃时，V
OUT
立即通过量转移
等于（ ΔI
负载
ESR ），其中， ESR是等效串联
的C电阻
OUT
.
ΔI
负载
同时开始充电或解散
负责
OUT
可产生反馈误差信号。
该稳压环路的作用，然后返回V
OUT
其稳定
状态值。在这段恢复时间V
OUT
可以MONI-
tored的过冲和振铃，将显示一个稳定
问题。用于切换控制的详细说明
循环理论，请参考应用笔记76 。
第二，更严重的瞬变引起的切换
在负载大（ >1μF ）电源旁路电容器。该
出院旁路电容有效地放到paral-
LEL用C
OUT
，引起V中的快速下降
OUT
。无监管
能够提供足够的电流，以防止这个问题，如果
负载开关电阻低，它被迅速地驱动。该
唯一的解决办法是限制该开关驱动器的上升时间
使载荷上升时间被限制为约（25
C
负载
） 。因此，一个10μF的电容充电至3.3V会
需要一个250微秒的上升时间，从而限制充电电流
约130毫安。
散热注意事项
在大多数应用中， LTC3447不消耗太多
热由于其高英法fi效率。但是，在应用中
LTC3447是在环境温度高，低运行
电源电压和高占空因数，例如在压差，
散发的热量可能超过最大结
温度的部分。如果结温达到
150°C左右，两个功率开关将被打开
断和SW节点将变为高阻抗。
避免LTC3447超过最大junc-
化温度时，用户需要做一些热
分析。热分析的目的是确定
消耗的功率是否超过最大
3447f
W
U
U
13
