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LTC4251/LTC4251-1/
LTC4251-2
单操作
–48RTN
LTC4251
插件板
–48V
背板
图1.基本LTC4251热插拔拓扑
长
–48RTN
R
IN
10k
500mW
短
R1
402k
1%
C1
10nF
C
IN
1F
UV / OV
LTC4251
定时器
V
EE
SENSE
门
V
IN
R2
32.4k
1%
长
–48V
图2： -48V ， 2.5A热插拔控制器
联锁条件
一个启动序列开始一次5最初的“跨
锁定“条件得到满足：
1.输入电压V
IN
超过9.2V （V
LKO
)
2.在紫外线的电压/过压下降的V的范围内
UVHI
to
V
OVLO
（UV > V
UVHI
， LTC4251-2 ）
3. （ SENSE - V
EE
）电压为<50mV （V
CB
)
4.定时电容上的电压（C
T
）小于1V
(V
TMRL
)
5. GATE小于0.5V （V
GATEL
)
前两个条件被连续地监视和
后三者之前进行检查，以初始定时或门
斜坡上升。在退出的OV条件， TIMER引脚
电压要求被抑制。细节描述在
应用信息，时序波形部分。
定时器由采购5.8μA开始启动顺序
成C
T
。如果V
IN
或UV / OV属于超出范围，启动循环
停止和定时器排放
T
到小于1V，然后等待
直到上述条件再次满足。如果
C
T
成功收费为4V ，定时器拉低和GATE
U
+
+
C
负载
+
低
电压
电路
隔离
直流/直流
变流器
模块
被解除。门源58μA （我
门
） ，充电
MOSFET栅极和相关的电容。
两种操作模式也是可能的时间期间的
MOSFET的第一导通，这取决于的值
外部元件， MOSFET的特性和公称
最终设计的电流。一种可能性是，在MOSFET将
打开逐渐使得浪涌进入负载电容
tance保持低值。输出只会加速到
-48V和MOSFET将全面提升。第二个
可能性是，负载电流超过电流限制
为100mV / R的门槛
S
。在这种情况下， LTC4251 /
LTC4251-1 / LTC4251-2将逐渐由采购输出
100mV/R
S
电流流入负载电容。这一点很
坦设置定时延迟，这样，不管哪个
用于启动模式下，启动时间小于
定时器的延迟时间。如果这个条件不满足， LTC4251 /
LTC4251-1 / LTC4251-2可在一个定时器后关机
延时。
板拆除
如果电路板从卡槽中， UV / OV撤回
分频器是最先失去连接。这将关闭
MOSFET和整流电流在流动
连接器。当电源引脚随后分开，
没有电弧。
电流控制
三个级别的保护手柄短路和过的
负载条件。负载电流由SENSE监测和
电阻R
S
。有三种不同的阈值，在SENSE ：
50mV的一个定时电路断路器功能; 100mV的一个
模拟电流限制环路;和200mV的要快，前馈
比较器，它限制了峰值电流的情况下
灾难性的短路。
如果，由于输出过载，电压R两端降
S
超过50mV的， TIMER源230μA成C
T
. C
T
eventu-
盟友收费为4V阈值和LTC4251 / LTC4251-1 /
LTC4251-2锁断。如果过载消失和SENSE
测量小于50mV ，C
T
缓慢释放（ 5.8μA ） 。
在这样的电路断路器的功能也将响应
低占空比过载，并且占快速加热
和缓慢冷却该MOSFET的特性。
425112fa
–
–
425112 F01
+
C
L
100F
典型值
C
T
150nF
3
C
C
18nF
4
1
R
S
2
20m
R
C
10
Q1
IRF530S
425112 F02
9
