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LTC4251/LTC4251-1/
LTC4251-2
应用S我FOR ATIO
C
T
= 330nF在公式（2） 。在MOSFET必须选择
基于该标准。该IRF530S可以处理100V和
图3A为10毫秒，并且是安全的在本申请中使用。
设计流程的概述
总结了设计流程，可以考虑应用
在图2中，它被设计为50W所示：
计算最大负载电流： 50W / 36V = 1.4A ;允许 -
荷兰国际集团83％的转换效率，我
IN （MAX）
= 1.7A.
计算R
S
：从等式（3 ）R
S
= 20m.
计算
T
：从等式（ 7 ）：C
T
= 150nF （包括1.5X
校正因子） 。
计算定时器周期：从公式（ 2 ）中短期
电路超时时间为t = 2.6ms 。
计算最大短路电流：从方程
（5）最大短路电流可以高达
为120mV / 20MΩ = 6A 。
咨询MOSFET SOA曲线：在IRF530S可以处理6A
在72V为5毫秒，所以它是安全的在本申请中使用。
频率补偿
该LTC4251 / LTC4251-1 / LTC4251-2典型频率
补偿网络的模拟电流限制环路
的一系列R
C
（ 10Ω ）和C
C
连接到V
EE
。图5
示出补偿钙之间的关系
pacitor
C
和MOSFET的C语言
国际空间站
。在图5中的线是
用于选择℃的起始值
C
基于该
MOSFET的C语言
国际空间站
规范。对于C优化值
C
是
显示一些流行的MOSFET。在差异
的C优化的价值
C
相对于初始值是小的。
然而，补偿值应当由被验证
板级短路测试。
正如图4以前，在一个短的发作
电路时，输入电源电压可以打电话dramati-
由于美云以串联电感。如果这个电压雪崩
在MOSFET ，电流继续流过MOSFET
到输出端。模拟电流限制回路无法控制
该电流的流动，因此，在循环下冲。这
效果不能由频率补偿来消除。一
补偿电容C
C
（ NF）
14
U
齐纳二极管，需要以夹紧输入电源电压
并防止MOSFET的雪崩。
60
50
40
30
20
10
0
IRF540
IRF530
IRF740
MTY100N10E
IRF3710
0
2000
6000
4000
MOSFET
国际空间站
（PF ）
8000
425112 F05
W
U U
图5.推荐赔偿
电容C
C
VS MOSFET
国际空间站
检测电阻的注意事项
对于正确的操作断路器， Kelvin检测PCB
感测电阻器和V之间的连接
EE
和
SENSE引脚强烈推荐。在绘图
图6示出在连接的正确方法
的LTC4251 / LTC4251-1 / LTC4251-2和之间的
检流电阻。 PCB布局应该是平衡的，对称
格律，以尽量减少接线错误。此外，该印刷电路板
为检测电阻的布局应包括良好的热
管理技术的最佳检测电阻的功率
耗散。
电流
与负载
电流
TO -48V背板
检测电阻器
履带宽度W：
0.03"每安培
ON 1盎司纯铜
W
425112 F06
TO
SENSE
TO
V
EE
图6.制作PCB连接到检测电阻
时序波形
系统上电
图7中详细说明了时序波形为典型的加电
了已经安装了一个板，其中序列中的情况下，
在背板和系统电源立即启动。在
时间点1 ，供给斜升，具有欠压/过压在一起
425112fa
