BH76806FVM ， BH76809FVM ， BH76812FVM ， BH76816FVM
BH76812FVM
20
VCC = 3V TA = 25
℃
技术说明
电路电流[mA ]
15
10
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
CTL端子电压[ V]
2.0
图。 48回路电流与CTL端子电压
●注意事项
在使用
1.
数字和输入数据的代表性设计值，并不能保证这些项目的值。
2.
虽然ROHM有信心的例子应用电路体现了最好的建议，一定
验证电路的特性为您的特定应用。修改常量的其他外部连接
电路可以引起变化的静态和瞬态特性对外部元件以及本罗门哈斯
IC 。确定电路常数时，允许足够的利润。
3.
绝对最大额定值
超过绝对最大额定值，如所施加的电压或工作温度范围内使用的集成电路的
（范围Topr ） ，可能会导致集成电路损坏。假设不应该作出关于IC的状态（短路模式或
开放模式）时，这种损坏将受到影响。物理安全措施，如熔断器，应实施
使用IC的时候，那里的绝对最大额定值可能会超过。
4.
热设计
通过考虑允许的损耗进行热设计，其中有足够的空间，
钯（Pd ），在使用中的实际状态。
5.
终端和错误安装间的短路
注意IC的装配方向。错误的安装方向或端子之间的短路，接地，或其他
上的电路元件，可损坏IC 。
6.
7.
运行在强电磁场
使用在一个强电磁场的集成电路可引起操作故障。
从去耦电容器C2的IC布线应保持尽可能的短。
该电容值可能对集成电路的涟漪效应，并可能影响的SN比。它建议使用
尽可能大的去耦电容尽可能。 （建议： 3.3 μF ，B特色， 6.3 V或更高）
8.
9.
10.
目标电容
它建议使用的陶瓷电容器具有良好的温度特性（B）中。
的NVCC （7针）终端生成在IC内使用的电压，因此它不应该被连接到负载
除非有必要的。此电容器（C7）具有大的电容值与低负电压纹波。
电容器C18和C2应放置在尽可能靠近IC放置。如果导线的长度，以该电容器是太
长，它可以导致开关噪声。 （推荐C18 ： 1.0 μF ; C2 ： 3.3 μF ，B特色， 6.3 V或更高
最大电压）
11.
高通滤波器由输入耦合电容C3和150 kΩ的内部输入。
请务必确定C3值之前检查视频信号下垂。
截止频率fc可以用下面的公式来计算。
FC = 1 / （ 2π × C3 × 150千欧） （建议： 1.0 μF ，B特色， 6.3 V或更高的最大电压）
12.
13.
14.
输出电阻R5应放在靠近IC 。
安装不当可能会损坏IC 。
大电流转变发生在电源引脚，当电荷泵电路的切换。如果这影响
其它IC （经由电源线） ，插入一个电阻（约10
)
在VCC线，以提高电源
电源的纹波的影响。虽然插入一个10
电阻降低了约0.2 V的电压，该IC具有较宽的保证金
用于低电压操作时，不应该发生这样的动态范围的问题或其他问题。 （参见图12至图14）。
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