TFDU6300
威世半导体
I / O和软件
在描述中，已经不同的I / O是
提及。不同的组合进行测试，并在
功能验证并提供了特殊的驱动程序
从I / O的供应商。在特殊情况下指的是
I / O手册中， Vishay的应用笔记，或接触
Vishay的直接销售，营销或应用程序。
设置为较低的带宽模式
（2.4 kbit / s至115.2千位/秒）
1.将SD输入逻辑"HIGH" 。
2.将TXD输入逻辑"LOW" 。等待吨
s
≥
200纳秒。
3.将SD逻辑"LOW" （此下降沿锁存器
TXD ，这就决定了速度设定）的状态。
4. TXD要追究吨
h
≥
200纳秒。
TXD现已启用正常TXD输入的
低带宽模式。
注意：
当在较低的施加此序列到设备已
带宽模式下，SD脉冲被解释为关闭。在这
情况下，收发器的RXD输出可以与一个单一的反应
脉冲（持续低电平有效）的持续时间小于2微秒。操作
软件应该照顾这个条件。
的情况下所施加的SD脉冲大于4微秒长，无RXD脉冲是
可以预期的，但接收机的启动时间是必须考虑到
考虑到设备之前处于接收状态。
模式切换
该TFDU6300在SIR模式下接通电源后为
默认模式，因此FIR数据传输速率
已经通过使用一个编程序列设定
下面介绍TXD和SD输入为。低
频率模式涵盖了速度高达115.2 kbit / s的。
具有较高数据速率的信号应该在被检测
高频模式。频率较低的数据可以
也可以在高频模式，但与接收
敏感性降低。要切换收发器
低频模式向高频模式和
反之亦然，编程序列描述
以下是必需的。
设置为高带宽模式
（ 0.576兆比特/秒到4兆比特/秒）
1.将SD输入逻辑"HIGH" 。
2.将TXD输入逻辑"HIGH" 。等待吨
s
≥
200纳秒。
3.将SD逻辑"LOW" （此下降沿锁存器
TXD ，这就决定了速度设定）的状态。
4.在等待吨
h
≥
200纳秒TXD可以被设置为逻辑
"Low" 。 TXD的保持时间由限定
允许的最大脉冲长度。
TXD现已启用正常TXD输入高
带宽模式。
SD
50 %
t
s
TXD
50 %
t
h
高： FIR
50 %
低： SIR
14873
图4.模式切换时序图
表2中。
真值表
输入
SD
高
TXD
x
高
高> 150微秒
低
低
低
低
光输入辐射毫瓦/米
2
x
x
x
<4
>敏。检测阈值辐照度
<最大。检测阈值辐照度
>最大。检测阈值辐照度
RXD
弱上拉
（ 500 kΩ）连接到V
CC1
低（回声）
高
高
低（有效）
x
输出
发射机
0
I
e
0
0
0
0
文档编号84763
修订版1.8 ， 03 -JUL- 08
www.vishay.com
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