IS45S16400E

1梅格位×16位× 4银行（ 64兆位）

同步动态RAM

特点

时钟频率： 166 ， 143 MHz的

完全同步;引用到的所有信号

时钟上升沿

隐藏行存取/预充电银行内部

单3.3V电源

LVTTL接口

可编程突发长度

– (1, 2, 4, 8, full page)

可编程突发序列：

顺序/交错

自刷新模式

4096刷新周期每16毫秒（ A2级）或

64ms (A1 grade)

随机列地址每个时钟周期

可编程CAS延迟时间（ 2 ， 3个时钟）

突发读取/写入和突发读/写单

作战能力

突发终止突发停止和预充电

命令

字节由LDQM和UDQM控制

包装： 400万54针TSOP II

无铅封装可用

汽车温度级：

选择A1 ： -40

o

C to +85

o

C

选择A2 ： -40

o

C to +105

o

C

2009年11月

概观

ISSI

的64Mb的同步DRAM IS45S16400E是

organized as 1,048,576 bits x 16-bit x 4-bank for improved

性能。该同步DRAM实现高速

采用流水线结构的数据传输。所有的输入和

输出信号的参考时钟输入的上升沿。

销刀豆网络gurations

54引脚TSOP （ II型）

VDD

DQ0

VDDQ

DQ1

DQ2

GNDQ

DQ3

DQ4

VDDQ

DQ5

DQ6

GNDQ

DQ7

VDD

LDQM

WE

CAS

RAS

CS

BA0

BA1

A10

A0

A1

A2

A3

VDD

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

GND

DQ15

GNDQ

DQ14

DQ13

VDDQ

DQ12

DQ11

GNDQ

DQ10

DQ9

VDDQ

DQ8

GND

NC

UDQM

CLK

CKE

NC

A11

A9

A8

A7

A6

A5

A4

GND

引脚说明

A0-A11

BA0, BA1

DQ0 to DQ15

CLK “

CKE =

CS

RAS =

CAS

地址输入

银行选择地址

数据I / O

系统时钟输入

时钟使能

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

WE

LDQM

UDQM

V

DD

GND¤

V

DD

q

GND

q

NC

写使能

低再见，输入/输出面膜

上再见，输入/输出面膜

动力

地

电源的DQ引脚

地面DQ引脚

无连接

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英文内容

11/09/09

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