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AT91SAM9XE128 / 512分之256初步
8.1.5.5
非易失性掉电检测器控制
两个GPNVM比特用于控制节电检测器（BOD ），从而即使在
功耗，掉电检测器的操作留在自己的国家。
GPNVMBit [1]作为掉电检测使能位。设置GPNVMBit [1]启用
BOD ，清除它即禁止BOD 。拉高ERASE清除GPNVMBit [1] ，从而禁止
掉电检测器在默认情况下。
GPNVMBit [2]作为掉电复位使能信号复位控制器。环境
GPNVMBit [ 2 ]可检测到掉电时，掉电复位，清除
GPNVMBit [2]禁用掉电复位。拉高ERASE将禁止通过复位掉电
默认情况下。
8.1.6
引导策略
表8-3
总结了内部存储器映射每个法师，根据重映射
状态和GPNVMBit [ 3 ]状态复位。
表8-3 。
内部存储器映射
REMAP = 0
地址
GPNVMBit [ 3 ]明确
0x0000 0000
只读存储器
GPNVMBit [ 3 ]集
FL灰
SRAM
REMAP = 1
该系统将始终引导地址0x0 。以确保具有可能性的最大数目为引导，
该存储器布局可以用两个参数来配置。
REMAP允许用户打下了第一个内部SRAM银行为0x0 ，缓解发展。这
通过软件进行一次系统启动。请参见“ AT91SAM9XE巴士
在产品数据表了解更多详情黑客帝国“ 。
当REMAP = 0，非易失性位存储在闪存存储器（ GPNVMBit [3] ），允许用户
铺陈为0x0，在他方便， ROM或闪存。请参见“增强
Flash控制器（ EEFC ）在产品数据表详细信息“嵌入。
注意：
不受这些参数的内存块总是可以看到他们的指定基地
地址。见中提出的完整的存储器映射
图8-1第22页。
该AT91SAM9XE矩阵管理引导存储器取决于GPNVMBit的值[3]
在复位。映射到地址0x0和0x0FFF FFFF之间的内部存储区保留
用于此目的。
如果GPNVMBit [ 3 ]设置，开机内存内部闪存
如果GPNVMBit [3]是明确的（闪存复位状态） ，引导存储器是嵌入式ROM 。经过
闪存擦除，引导存储器是内部ROM 。
8.1.6.1
GPNVMBit [3] = 0时，启动嵌入式ROM
使用引导程序引导系统。
开机慢时钟（片内RC或32,768赫兹）
- 自动波特率检测
SAM -BA启动的情况下，没有有效的程序是在外部NVM检测，支持
- 在DBGU串行通信
- USB设备端口
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6254AS–ATARM–14-Feb-08
