NTMS4802N
功率MOSFET
特点
30 V ， 18 A， N沟道， SO- 8
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
4.0毫瓦@ 10 V
5.5毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
18 A
应用
DC-DC转换器
同步MOSFET
打印机
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
qJA
, t
v
10 s
（注1 ）
功耗
R
qJA
, t
v
10秒（注1 ）
漏电流脉冲
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
E
AS
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
15
12
1.66
11.1
8.9
0.91
18
15
2.5
60
55
to
150
2.5
420
W
A
°C
A
mJ
W
A
W
A
单位
V
V
A
N沟道
D
G
S
标记图/
引脚分配
1
SO8
CASE 751
12风格
来源
来源
来源
门
1
4802N
AYWWG
G
顶视图
8
漏
漏
漏
漏
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(T
J
= 25 ° C，V
DD
= 30 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 29 A
pk
中，L = 1.0毫亨，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
4802N =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
包
SO8
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
NTMS4802NR2G
T
L
260
°C
热阻最大额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨
v
10秒（注1 ）
结到脚（漏极）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
QJF
R
qJA
价值
75.5
50.5
22
138
单位
° C / W
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. Surfacemounted使用1平方米的焊盘尺寸FR4板。
2. Surfacemounted使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年12月，
第0版
1
出版订单号：
NTMS4802N/D
