IR3521
IDD动态超频极限电容器
AMD最新的处理器需要两个过流限制：一为正常的散热设计电流（ TDC）的操作和
其他为系统IDD_Spike 。 TDC过电流是由过电流设定概述以下说明设置
电阻ROCSET部分。当负载电流超过了TDC为非常短的时间（ 10毫秒） IDD_Spike发生。
图18示出了事件的边界。目前超过10 ms的移动平均不超过贸发局
极限。高IDD穗将持续时间较短。
OCP- IDDSpike
IDDSpike
OCP- TDC
香港贸易发展局
电流（A ）
1
2
3
4
5
6
时间（ms）
7
8
9
10
图18显示IDD_Spike边界
过电流阈值的IDD_Spike可以通过掺入之间适当大小的电容器来实现
该OCSET （18）和所述IN1 （21）的引脚（见图19） 。
相位IC
1
IOUT
相位IC
2
IOUT
高通滤波器
C
IDDSpike
IIN
相位IC
3
IOUT
R
OCSET
OCSET1
VDAC
R
VDAC
OCSET
比较
控制IC
相位IC
4
IOUT
C
VDAC
图19 C
IDDSpike
和R
OCSET
形成一个高通滤波器
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V3.03
