LM3402/LM3402HV
C
IN（分钟）
= (0.35 x 2.7 x 10
-6
) / 0.6 = 1.6 F
P
O
= I
F
X V
O
= 0.361 X 49.2 = 17.76W
在期待更多的容量，将需要预
发泄电源交互的2.2 μF陶瓷电容
额定电压为100V采用X7R电介质中的1812封装尺寸将是
使用。从设计注意事项部分中，输入电流有效值
租金：
I
IN- RMS
= 0.35 X SQRT（ 0.82 X 0.18 ） = 134毫安
对于1812尺寸陶瓷电容的纹波电流额定值
通常比2A高，有足够多的这种设计。
续流二极管
的60V ±5％的输入电压需要肖特基二极管与
反向额定电压大于60V 。有些manufactur-
ERS提供肖特基二极管的70 ， 80或90V额定值;
但下一个最高的标准额定电压为100V 。
选择一个100V额定二极管提供了一个大的安全边际
为分支节点的振铃，也使交叉REF-
erencing来自不同厂商更容易二极管。
下一个参数，以确定是正向工作电流
评级和封装尺寸。在这个例子中，高占空比（D =
49.2 / 60 = 82 ％ ），地方较小散热压力在D1和更多
在LM3402的内部功率MOSFET 。估计
二极管平均电流为：
I
D
= 0.361 X 0.18 = 65毫安
以0.5A的正向电流额定值的肖特基将AD-
等同，但在100V大多数二极管具有一个微型
1A的妈妈正向电流额定值。以确定适当的
案件大小，功耗和温升D1可以
计算出如图所示的设计考虑部分。
V
D
对于小规模的情况下，如SOD- 123F在100V ， 1A
在350mA的肖特基二极管是约0.65V和
θ
JA
88 ° C / W 。功耗和温度的上升可以
计算公式如下：
P
D
= 0.065 X 0.65 = 42毫瓦
T
上升
= 0.042 X 88 = 4℃
C
B
和C
F
自举电容C
B
应该永远是一个10 nF陶瓷
电容器用X7R电介质。一个25V评级是适当的
所有的应用电路。线性稳压滤波电容C
F
应该永远是一个100 nF陶瓷电容，还采用X7R
电介质和一个25V的评价。
效率
来估计这个例子中，功率的电效率
耗散在每个电流承载元件可以被计算
并总结。电效率，
η,
不应混淆
与电路的光学效能，这取决于
LED本身。
总输出功率，P
O
，计算公式为：
导通损耗，磷
C
在内部MOSFET ：
P
C
= (I
F2
个R
DSON
）× D = （ 0.361
2
×1.5 ）× 0.82 = 160毫瓦
栅极充电和VCC的损失，P
G
在栅极驱动器和线性
调节：
P
G
= (I
IN- OP
+ f
SW
X Q
G
）× V
IN
P
G
= (600 x 10
-6
+ 3 x 10
5
x 3 x 10
-9
）× 60 = 90毫瓦
开关损耗，P
S
在内部MOSFET ：
P
S
= 0.5× V
IN
X我
F
X （T
R
+ t
F
） X F
SW
P
S
= 0.5 x 60 x 0.361 x 40 x 10
-9
x 3 x 10
5
= 130毫瓦
AC RMS电流损耗，P
CIN
在输入电容：
P
CIN
= I
IN(rms)2
X ESR = （ 0.134 ）
2
X 0.006 = 0.1毫瓦（可忽略不计）
DCR损耗，P
L
，在电感
P
L
= I
F2
X DCR = 0.35
2
×1.1 = 135毫瓦
循环二极管损耗，P
D
= 42毫瓦
电流检测电阻损耗，P
SNS
= 69毫瓦
电效率，
η
= P
O
/ (P
O
各方面的损失之和+ ） =
17.76 / (17.76 + 0.62) = 96%
温度上升在LM3402HV集成电路计算为：
T
LM3402
= (P
C
+ P
G
+ P
S
) x
θ
JA
= (0.16 + 0.084 + 0.13) x 200
= 74.8°C
布局的注意事项
任何切换转换器的性能取决于如
得多于印刷电路板的元件的选择的布局。
以下指南将帮助用户设计一个电路
外界电磁干扰和最小发电机最大排斥
不需要的EMI 。
紧凑的布局
寄生电感可以通过使功率减小
路径组件并拢并保持的面积
循环高电流小旅行。短而粗的痕迹或
铜盆满钵满（形状）是最好的。特别地，交换节点
（其中L1 ，D1和SW引脚连接）应该只是大
足以连接所有三个组成部分没有过多
加热由它承载的电流。该LM3402 / 02HV能操作
在两个不同周期的高电流路径阿泰显示
在图6中：
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