SMD型
海特速度电源开关
2SJ530S
IC
MOSFET
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.08
典型值。
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
高速开关
+0.2
9.70
-0.2
4V栅极驱动装置。
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1门
2漏
3源
2.3
+0.15
4.60
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲） *
功耗
通道温度
储存温度
* PW
10
S，占空比
1%
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
-60
20
-15
-60
30
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
栅源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V
DSS
V
GSS
I
DSS
I
GSS
Testconditons
I
D
=-10mA,V
GS
=0
I
G
=
100
A，V
DS
=0
民
-60
20
-10
10
-1.0
6.5
11
0.08
0.11
850
V
DS
=-10V,V
GS
=0,f=1MHZ
420
110
12
V
GS （ ON）
=-10V,I
D
= - 8A ，R
L
=3.75
75
125
75
0.10
0.16
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
-2.0
典型值
最大
单位
V
V
A
A
V
S
V
DS
=-60V,V
GS
=0
V
GS
=
16V,V
DS
=0
V
GS （ OFF ）
V
DS
=-10V,I
D
=-1mA
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=-10V,I
D
=-8A
V
GS
=-10V,I
D
=-8A
V
GS
=-4.0V,I
D
=-8A
3
.8
0
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