2SJ479 （L） 2SJ479 （S）
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
0.10
脉冲测试
0.08
I
D
= –20 A
0.06
V
GS
= –4 V
0.04
–5 A, –10 A, –20 A
–10 V
0
–40
0
40
80
120
160
–5 A, –10 A
50
20
TC = -25°C
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–5 –10 –20 –50
75°C
25°C
0.02
外壳温度
TC （ ℃）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
5000
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
反向恢复时间trr （ NS ）
500
200
100
50
20
10
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
–5 –10 –20 –50
电容C （PF ）
2000
1000
500
西塞
科斯
CRSS
200
100
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
–4
–8
–12
–16
–20
5
–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
–10
–4
开关时间t（ NS ）
V
DD
= –5 V
–10 V
–25 V
I
D
= –30 A
V
GS
(V)
0
0
1000
500
TD （关闭）
200
100
50
20
10
tr
TD （上）
V
GS
= –10 V, V
DD
= –10 V
税
≤
1 %
–5 –10 –20
–50
tf
漏源极电压
–20
V
DS
V
DD
= –25 V
–10 V
–5 V
V
GS
–8
–30
–12
–40
–16
–50
0
16
32
48
64
–20
80
栅极至源极电压
5
–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2
栅极电荷
QG （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
Rev.3.00 2006年6月5日第4 7
