SMD型
NPN硅外延
2SC4702
SOT-23
晶体管
单位：mm
特点
高的击穿电压
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
小穗轴
1
2
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
V
首席执行官
= 300 V
C
ob
= 1.5 pF的典型。
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
300
300
5
100
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
增益带宽积
集电极输出电容
符号
Testconditons
民
300
300
5
0.1
0.5
60
80
1.5
150
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
V
V
（ BR ） CBO
I
C
= 10ìA ，我
E
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= 1毫安，R
BE
=
V
（ BR ） EBO
I
E
= 10ìA ，我
C
= 0
I
CBO
V
CB
= 250V ，我
E
=0
V
CE （ SAT ）
I
C
= 30mA时我
B
= 3毫安
h
FE
f
T
COB
V
CE
= 6V ，我
C
= 2毫安
V
CE
= 6V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
记号
记号
XV-
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
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