SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
V
CB
= 500V ，我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=12V
10
民
400
500
7
2SC2810
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
V
0.5
1.3
10
10
V
V
A
A
18
兆赫
2
